A Xinhua destaca que a velocidade do dispositivo atinge um bit em 400 picosegundos.
"Uma equipe de pesquisa chinesa desenvolveu um dispositivo revolucionário de memória flash que pode armazenar dados a uma velocidade de um bit a cada 400 picosegundos, estabelecendo um novo recorde para o dispositivo de armazenamento mais rápido já registrado", ressalta a publicação.
Segundo o artigo, a equipe de pesquisadores da Universidade de Fudan, em Xangai, desenvolveu uma memória flash bidimensional não volátil com um canal de grafeno, chamada PoX.
A Xinhua informa que PoX supera até mesmo os dispositivos de memória volátil mais rápidos existentes, que exigem cerca de um a dez nanossegundos para gravar um bit de dados.
"Ao usar algoritmos de IA [Inteligência Artificial] para otimizar as condições de teste do processo, avançamos significativamente essa inovação e abrimos caminho para suas futuras aplicações", finaliza a publicação, citando Zhou Peng, o principal pesquisador do estudo da Universidade de Fudan.